«آي فون 7» بذاكرة تخزين داخلية سعتها 256 جيجا
وتعمل شركة سامسونج على تصنيع الذاكرة الداخلية لأجهزة آي فون، وفقا لتعاقد سابق بين الجانبين.
واعتمدت سامسونج على معيار UFS 2.0 في تصنيع ذاكرات التخزين والذي يسمح لها بسرعة قراءة عالية جدًا تصل إلى ضعف سرعة معايير أقراص SSD عند 850 ميجابايت في الثانية وسرعة كتابة عند 250 ميجابايت في الثانية أي نحو ثلاثة أضعاف سرعة أفضل بطاقات الذاكرة الخارجية.
وذلك بفضل تقنية V-NAND فقد تمكنت من صنع شرائح بسعة أكبر على مساحة فيزيائية أصغر فضلًا عن الاعتمادية العالية.
«آي فون 7» بذاكرة تخزين داخلية سعتها 256 جيجا
Reviewed by c
on
7:50:00 ص
Rating:
Reviewed by c
on
7:50:00 ص
Rating:
ليست هناك تعليقات: